集成电路验证工程师
集成电路验证工程师
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存储芯片设计工程师
教育背景
合肥工业大学
211双一流
微电子学与固体电子学 硕士
合肥2018年9月 - 2021年6月
研究方向：存储器阵列结构与灵敏放大器设计。
西安电子科技大学
211双一流
电子科学与技术 本科
西安2014年9月 - 2018年6月
相关课程：半导体器件物理、模拟集成电路设计、数字集成电路设计。
技能
DRAM阵列与灵敏放大器设计
Cadence Virtuoso / Spectre
低功耗与电源管理电路
HSPICE / FineSim 仿真
NOR Flash 外围电路设计
版图规划与DRC/LVS验证
荣誉奖项
研究生国家奖学金
集创赛全国二等奖
个人总结
5年存储芯片设计经验，专注DRAM及NOR Flash阵列与外围电路设计，熟悉28nm/40nm工艺节点。主导过多款存储IP的架构定义与流片验证，具备从规格到量产的全流程能力。擅长低功耗与良率优化，累计支撑3颗芯片量产。
工作经历
长鑫存储技术有限公司
合肥
存储芯片上市企业
存储芯片设计工程师
2021年7月 - 至今
DRAM设计低功耗电路
- 负责DDR4 DRAM灵敏放大器与列选电路设计，完成3轮流片验证，读取裕量提升18%。
- 主导低功耗待机模式电路优化，将待机电流降低32%，支撑产品通过客户认证。
- 参与良率提升专项，定位阵列漏电失效根因，推动良率由86%提升至94%。
上海华虹集成电路有限责任公司
上海
晶圆代工集成电路
模拟电路设计实习生
2020年7月 - 2021年6月
NOR Flash仿真验证
- 参与NOR Flash存储单元与外围电路设计，完成2款IP的仿真与硅验证。
- 搭建自动化仿真回归脚本，将验证周期由5天缩短至2天，提升团队效率。
项目经验
28nm DDR4 DRAM存储阵列设计
2022年3月 - 2024年8月
核心设计工程师
- 负责阵列架构与灵敏放大器方案定义，完成28nm工艺下全芯片仿真，读取速度达1600Mbps。
- 主导版图规划与后仿优化，寄生参数收敛后时序裕量提升12%，一次流片成功。
车规级NOR Flash低功耗IP开发
2022年9月 - 2023年12月
电路设计负责人
- 设计低功耗待机偏置电路，待机电流由45μA降至30μA，满足车规客户要求。
- 完成PVT全角仿真与可靠性验证，支撑产品通过AEC-Q100认证。
主要成就
低功耗方案落地量产
主导低功耗电路方案，使产品待机电流降低32%，年出货量超5000万颗。
良率提升专项
通过失效根因定位与设计改进，推动DRAM产品良率由86%提升至94%。
验证流程自动化
搭建自动化仿真回归流程，验证周期缩短60%，在部门内推广使用。
证书与认证
集成电路设计工程师（中级） - 工业和信息化部
2023年6月
证明集成电路设计与工艺综合能力。
模拟集成电路设计专业能力认证 - 中国电子学会
2022年12月
证明模拟集成电路设计专业能力。
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